RIE 是一种将 物理溅射 与 化学反应刻蚀 组合在一起的等离子体刻蚀技术，用于半导体制造中对薄膜进行高选择性、高各向异性刻蚀。其中偏压电源决定了粒子撞击能量，改变化学反应速度。
2025-12-11 
电子束检测与直流高压电源的关联性直流高压电源为加速电子、聚集电子束提供能量所以电子束检测必须使用高压直流电源，其中检测分辨率、线宽测量精度与图像质量又由高压直流电源来决定。
2025-12-11 
静电吸盘原理静电吸盘是一种利用大电压微电流将工件（通常是晶圆/玻璃/薄片）吸附固定在台面上的高精度夹持装置。在 半导体设备（刻蚀、PVD、CVD、离子注入等）得到广泛应用。
2025-12-11 
高压直流电源与离子注入的关联性高压直流电源给离子提供动能，使其达到设计的注入的能量，将离子源产生的离子经加速后高速射向材料表面，高压直流电源控制离子穿透深度，将与固体中的原子碰撞，将其挤进内部，并在其...
2025-12-11 
直流高压在物理气相沉积中的作用在物理气相沉积中使用 300 V – 1 kV 的直流高压在气体（Ar）中形成等离子体，直流高压为正离子加速提供能量轰击靶材使靶材上的原子被溅射出来沉积到基片上。
2025-12-11
直流电源在等离子体刻蚀的作用在等离子刻蚀中有多种电源需求，源 RF 电源把气体（CF₄、O₂、Cl₂ 等）电离成等离子体，偏压电源 Bias给下电极或晶圆施加电压，使离子轰击晶圆表面，实现各向异性刻蚀...
2025-12-11
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