RIE 是一种将 物理溅射 与 化学反应刻蚀 组合在一起的等离子体刻蚀技术，用于半导体制造中对薄膜进行高选择性、高各向异性刻蚀。其中偏压电源决定了粒子撞击能量，
2025-12-11 
电子束检测与直流高压电源的关联性直流高压电源为加速电子、聚集电子束提供能量所以电子束检测必须使用高压直流电源，其中检测分辨率、线宽测量精度与图像质量又由高压直流
2025-12-11 
静电吸盘原理静电吸盘是一种利用持续存在的静电力从而将工件（通常是晶圆/玻璃/薄片）吸附固定在台面上的高精度夹持装置。广泛应用在 半导体设备（刻蚀、PVD、CVD
2025-12-11 
高压直流电源与离子注入的关联性高压直流电源给离子提供动能，使其达到设计的注入的能量，将离子源产生的离子经加速后高速射向材料表面，高压直流电源控制离子穿透深度，将
2025-12-11 
直流高压在物理气相沉积中的作用在物理气相沉积中使用 300 V – 1 kV 的直流高压在气体（Ar）中形成等离子体，直流高压为正离子加速提供能量轰击靶材使靶材
2025-12-11
直流电源在等离子体刻蚀的作用在等离子刻蚀中有多种电源需求，源 RF 电源把气体（CF₄、O₂、Cl₂ 等）电离成等离子体，偏压电源 Bias给下电极或晶圆施加电
2025-12-11
